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UGBT、MOSFET - 单
STGD3NB60SD-1参考图片

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STGD3NB60SD-1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
25A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.5V @ 15V,3A
功率 - 最大值
48W
开关能量
1.1mJ(开),1.15mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
18nC
25°C 时 Td(开/关)值
125µs/3.4µs
测试条件
480V,3A,1 千欧,15V
反向恢复时间(trr)
1.7µs
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
DPAK
商品其它信息
优势价格,STGD3NB60SD-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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