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UGBT、MOSFET - 单
STGF5H60DF参考图片

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STGF5H60DF

  • STMicroelectronics
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  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
20A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.95V @ 15V,5A
功率 - 最大值
24W
开关能量
56µJ(开),78.5µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
43nC
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/140ns
测试条件
400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
134.5ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
商品其它信息
优势价格,STGF5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
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暂无价格
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