STGB10NC60HDT4代理现货_STGB10NC60HDT4详细信息_STMicroelectronics_赛美科芯城

您好！欢迎来到赛美科芯城登录注册

产品分类

首页商品目录品牌专区 BOM配单品牌入驻自营现货

UGBT、MOSFET - 单

STGB10NC60HDT4参考图片

图片仅供参考，请参阅产品规格

分享到：
0

STGB10NC60HDT4

制造商:STMicroelectronics
批号:最新
描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK
PDF下载:

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

*联系人：
*电话：
QQ：
*邮箱：

公司名：微信：

库存：7,992(价格仅供参考)

数量	单价	合计
暂无价格,请联系询价

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

PDF资料下载
STGB10NC60HDT4 PDF资料下载

参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	PowerMESH™
零件状态	有源
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	30A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.5V @ 15V，5A
功率 - 最大值	65W
开关能量	31.8µJ（开），95µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	19.2nC
25°C 时 Td（开/关）值	14.2ns/72ns
测试条件	390V，5A，10欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	22ns
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK

商品其它信息

优势价格，STGB10NC60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	IKP30N65F5XKSA1	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3	暂无价格	参考库存:23722
	STGP3NB60FD	STMicroelectronics	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 6A 68W TO220	暂无价格	参考库存:23730
	IKD10N60RFAATMA1	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3	暂无价格	参考库存:23738
	IRGBC20UD2	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB	暂无价格	参考库存:23746
	IXGH39N60BD1	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 76A 200W TO247AD	暂无价格	参考库存:23754

一站式采购
正品保障
价格优势
闪电发货

赛美科科技，只做原装，军工企业合作商，质量第一，诚信合作！

最新动态
企业动态
产品动态

深圳市赛美科科技有限公司

电话：0755-28309323

手机：13480875861

传真：0755-28309323

Email：2885614195@qq.com

Q Q：

地址：深圳市龙岗区坂田街道光雅园商住区11栋908

微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市赛美科科技有限公司粤ICP备2020116496号