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UGBT、MOSFET - 单
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IKD04N60RF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchStop®
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
8A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
12A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.5V @ 15V，4A
功率 - 最大值
75W
开关能量
110µJ
输入类型
标准
栅极电荷
27nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/116ns
测试条件
400V，4A，43 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
34ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3
商品其它信息
优势价格，IKD04N60RF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT27GA90BD15
Microchip Technology
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 900V 48A 223W TO247
暂无价格
参考库存:3053
IKD06N60RFATMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
暂无价格
参考库存:34005
FGB3040G2-F085
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UGBT、MOSFET - 单
IGBT 400V 41A TO263
暂无价格
参考库存:6068
IXBX75N170
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247
暂无价格
参考库存:4620
RGCL80TS60GC11
Rohm Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT
暂无价格
参考库存:4322
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