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FET，MOSFET - 阵列
MCH6605-TL-E参考图片

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MCH6605-TL-E

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源电压（Vdss）
50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
140mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
22 欧姆 @ 40mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1.32nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
6.2pF @ 10V
功率 - 最大值
800mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
6-MCPH
商品其它信息
优势价格，MCH6605-TL-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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