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FET，MOSFET - 阵列

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SIZ910DT-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR
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参数信息

参数	参数值
包装	Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列	TrenchFET®
零件状态	停產
FET 类型	2 个 N 通道（半桥）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	40A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	5.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1500pF @ 15V
功率 - 最大值	48W，100W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerWDFN
供应商器件封装	8-PowerPair®（6x5）

商品其它信息

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