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FET，MOSFET - 阵列
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NTMD6601NR2G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.1A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
215 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
400pF @ 25V
功率 - 最大值
600mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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