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FET，MOSFET - 阵列

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IRFH4253DTRPBF

制造商:Infineon Technologies
批号:最新
描述:MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	HEXFET®
零件状态	不適用於新設計
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	64A，145A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	3.2 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1314pF @ 13V
功率 - 最大值	31W，50W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerVDFN
供应商器件封装	PQFN（5x6）

商品其它信息

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