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FET，MOSFET - 阵列

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APTC60TAM35PG

制造商:Microchip Technology
批号:最新
描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
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参数信息

参数	参数值
包装	散装
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	72A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	35 毫欧 @ 72A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	518nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	14000pF @ 25V
功率 - 最大值	416W
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	底座安装
封装/外壳	SP6
供应商器件封装	SP6-P

商品其它信息

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