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FET，MOSFET - 阵列
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FPF1C2P5BF07A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
5 N 沟道（太阳能逆变器）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
36A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
90 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
250W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
F1 模块
供应商器件封装
F1
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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