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FET，MOSFET - 阵列
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CSD86356Q5DT

  • Texas Instruments
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  • SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.5 毫欧 @ 20A，5V，0.8 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.85V @ 250µA，1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V
功率 - 最大值
12W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
商品其它信息
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