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FET，MOSFET - 阵列
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SH8M70TB1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3A，2.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.63 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
5.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
180pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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