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FET，MOSFET - 阵列
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PMCXB1000UEZ

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
590mA（Ta），410mA（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
670 毫欧 @ 590mA，4.5V，1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1.05nC @ 4.5V，1.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
30.3pF @ 15V，43.2pF @ 15V
功率 - 最大值
285mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
DFN1010B-6
商品其它信息
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