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FET,MOSFET - 阵列

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APTC90HM60T3G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
CoolMOS™
零件状态
停產
FET 类型
4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能
超级结
漏源电压(Vdss)
900V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
59A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 52A、 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
540nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13600pF @ 100V
功率 - 最大值
462W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
商品其它信息
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