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FET，MOSFET - 阵列
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SH8K37GZETB

  • Rohm Semiconductor
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  • 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.5A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
46mOhm @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
500pF @ 30V
功率 - 最大值
1.4W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
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