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双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
PBLS1504V,115参考图片

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PBLS1504V,115

  • NXP USA Inc.
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  • TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
1 NPN 预偏压式，1 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V，15V
电阻器 - 基底（R1）
22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）
22 千欧
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA，100nA
频率 - 跃迁
280MHz
功率 - 最大值
300mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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