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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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BC848CDW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • TRANS 2NPN 30V 0.1A SOT363
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
15nA(ICBO)
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值
380mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
商品其它信息
优势价格,BC848CDW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极性晶体管(BJT)- 阵列
TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP
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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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双极性晶体管(BJT)- 阵列
TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
暂无价格
参考库存:41010
双极性晶体管(BJT)- 阵列
TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
暂无价格
参考库存:41018
双极性晶体管(BJT)- 阵列
PMBT3904RA/SOT1268/DFN1412-6
暂无价格
参考库存:41026
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