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双极性晶体管（BJT）- 阵列
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VT6T12T2R

  • Rohm Semiconductor
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  • TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
120 @ 1mA，6V
功率 - 最大值
150mW
频率 - 跃迁
300MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
VMT6
商品其它信息
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