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UGBT、MOSFET - 单
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NGD8201NT4

  • ON Semiconductor
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  • IGBT 440V 20A 125W DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
440V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
50A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.9V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值
125W
开关能量
-
输入类型
逻辑
栅极电荷
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值
-/5µs
测试条件
300V，9A，1 千欧，5V
反向恢复时间（trr）
300V，9A，1 千欧，5V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
DPAK
商品其它信息
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