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UGBT、MOSFET - 单

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GT60N321(Q)

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
1000V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.8V @ 15V,60A
功率 - 最大值
170W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
标准
25°C 时 Td(开/关)值
330ns/700ns
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
2.5µs
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PL
供应商器件封装
TO-3P(LH)
商品其它信息
优势价格,GT60N321(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 50A 179W TO247
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