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UGBT、MOSFET - 单
NGB8207ANT4G参考图片

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NGB8207ANT4G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
365V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
50A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.2V @ 3.7V,10A
功率 - 最大值
165W
开关能量
-
输入类型
逻辑
栅极电荷
逻辑
25°C 时 Td(开/关)值
-
测试条件
-
反向恢复时间(trr)
-
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 14A 49W TO262
暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
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UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 40A 150W TO220
暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 85A 313W TO247AD
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参考库存:32586
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 60A 220W TO247
暂无价格
参考库存:32594
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