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GT10G131(TE12L,Q)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC
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参数信息

参数	参数值
包装	标准卷带
系列	-
零件状态	停產
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	400V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	400V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.3V @ 4V， 200A
功率 - 最大值	1W
开关能量	-
输入类型	标准
栅极电荷	标准
25°C 时 Td（开/关）值	3.1µs/2µs
测试条件	-
反向恢复时间（trr）	-
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装	8-SOP（5.5x6.0）

商品其它信息

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