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HGT1S10N120BNS

制造商:ON Semiconductor
批号:最新
描述:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	不適用於新設計
IGBT 类型	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）	1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值	298W
开关能量	320µJ（开），800µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	100nC
25°C 时 Td（开/关）值	23ns/165ns
测试条件	960V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	960V，10A，10 欧姆，15V
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装	TO-263AB

商品其它信息

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