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UGBT、MOSFET - 单
MMIX1X200N60B3H1参考图片

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MMIX1X200N60B3H1

  • IXYS
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  • IGBT 600V 175A 520W SMPD
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™,XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
175A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1000A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.7V @ 15V,100A
功率 - 最大值
520W
开关能量
2.85mJ(开),2.9mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
315nC
25°C 时 Td(开/关)值
48ns/160ns
测试条件
360V,100A,1 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
100ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
24-PowerSMD,21 引线
供应商器件封装
24-SMPD
商品其它信息
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