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GT30J121(Q)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	-
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	30A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	60A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.45V @ 15V，30A
功率 - 最大值	170W
开关能量	1mJ（开），800µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	标准
25°C 时 Td（开/关）值	90ns/300ns
测试条件	300V，30A，24 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	300V，30A，24 欧姆，15V
工作温度	300V，30A，24 欧姆，15V
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P（N）

商品其它信息

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	GT30J121(Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 30A 170W TO3PN	暂无价格	参考库存:41009
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