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UGBT、MOSFET - 单
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APT50GT120LRDQ2G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
Thunderbolt IGBT®
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
106A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
150A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.7V @ 15V，50A
功率 - 最大值
694W
开关能量
2585µJ（开），1910µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
240nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/215ns
测试条件
800V，50A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
800V，50A，1 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装
TO-264 [L]
商品其它信息
优势价格，APT50GT120LRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKA03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3
暂无价格
参考库存:30820
IRG7PH50K10DPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
暂无价格
参考库存:30836
IKB03N120H2ATMA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
暂无价格
参考库存:30844
IRG7PH50UPBF
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
暂无价格
参考库存:9601
FGPF70N30TTU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 300V 49.2W TO220F
暂无价格
参考库存:30854
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