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UGBT、MOSFET - 单
IXYX100N65B3D1参考图片

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IXYX100N65B3D1

  • IXYS
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  • IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX3™,XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
225A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
460A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.85V @ 15V,70A
功率 - 最大值
830W
开关能量
1.27mJ(开),1.37mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
168nC
25°C 时 Td(开/关)值
29ns/150ns
测试条件
400V,50A,3 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
156ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PLUS247™-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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