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UGBT、MOSFET - 单
IXBA14N300HV参考图片

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IXBA14N300HV

  • IXYS
  • 最新
  • REVERSE CONDUCTING IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
BIMOSFET™
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)
3000V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
38A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.7V @ 15V,14A
功率 - 最大值
200W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
62nC
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/166ns
测试条件
960V,14A,20 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
1.4µs
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
TO-263
商品其它信息
优势价格,IXBA14N300HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A
暂无价格
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UGBT、MOSFET - 单
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暂无价格
参考库存:40237
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IGBT 2500V TO247AD
暂无价格
参考库存:40245
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 30A 50W TO220F
暂无价格
参考库存:40253
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