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UGBT、MOSFET - 单
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STGB20H60DF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,20A
功率 - 最大值
167W
开关能量
209µJ(开),261µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
115nC
25°C 时 Td(开/关)值
42.5ns/177ns
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
90ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D2PAK
商品其它信息
优势价格,STGB20H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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