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JFET
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J112-D26Z

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • JFET N-CH 35V 625MW TO92
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
35V
漏源电压（Vdss）
35V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
5mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值
5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
电阻 - RDS（开）
50 Ohms
功率 - 最大值
625mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
供应商器件封装
TO-92-3
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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