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FET，MOSFET - 阵列
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STS4C3F60L

  • STMicroelectronics
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  • MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
STripFET™
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A，3A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
55 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
20.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1030pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
商品其它信息
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