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SI7530DP-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix
批号:最新
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
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参数信息

参数	参数值
包装	Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列	TrenchFET®
零件状态	停產
FET 类型	N 和 P 沟道
FET 功能	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3A，3.2A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	75 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
功率 - 最大值	1.4W，1.5W
工作温度	1.4W，1.5W
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8 双

商品其它信息

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