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FET,MOSFET - 阵列
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STL40C30H3LL

  • STMicroelectronics
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  • MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
STripFET™ VI
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A,30A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
21 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
475pF @ 24V
功率 - 最大值
60W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™(5x6)
商品其它信息
优势价格,STL40C30H3LL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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