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FET,MOSFET - 阵列
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NTMFD4C86NT3G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11.3A,18.1A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
5.4 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
22.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1153pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN(5x6)
商品其它信息
优势价格,NTMFD4C86NT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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