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FET，MOSFET - 阵列
SI6562DQ-T1-E3参考图片

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SI6562DQ-T1-E3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
600mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
1W
工作温度
1W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-TSSOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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