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FET，MOSFET - 阵列
SI5980DU-T1-GE3参考图片

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SI5980DU-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.5A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
567 毫欧 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
78pF @ 50V
功率 - 最大值
7.8W
工作温度
7.8W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 双
供应商器件封装
PowerPAK® ChipFet 双
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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