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FET，MOSFET - 阵列
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APTMC120TAM33CTPAG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
78A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
33 毫欧 @ 60A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 3mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
148nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2850pF @ 1000V
功率 - 最大值
370W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6-P
商品其它信息
优势价格，APTMC120TAM33CTPAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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