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FET，MOSFET - 阵列
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SP8M5FU6TB

  • Rohm Semiconductor
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  • MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A，7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
28 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
10.1nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
520pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
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