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FET，MOSFET - 阵列

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DMPH6050SPD-13

  • Diodes Incorporated
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  • MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
标准
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
26A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
48 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
14.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1525pF @ 30V
功率 - 最大值
1525pF @ 30V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
PowerDI5060-8
商品其它信息
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