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FET，MOSFET - 阵列
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CSD87351ZQ5D

  • Texas Instruments
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  • MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
NexFET™
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
32A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1255pF @ 15V
功率 - 最大值
12W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
8-LSON（5x6）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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