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FET,MOSFET - 阵列
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NTMD3P03R2G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.34A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
85 毫欧 @ 3.05A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
750pF @ 24V
功率 - 最大值
730mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
商品其它信息
优势价格,NTMD3P03R2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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