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FET，MOSFET - 阵列
NVMFD5C650NLT1G参考图片

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NVMFD5C650NLT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
汽车级，AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
21A（Ta），111A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 98µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
16nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2546pF @ 25V
功率 - 最大值
3.5W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
商品其它信息
优势价格，NVMFD5C650NLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTHD3102CT1G
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MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
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QS6M3TR
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暂无价格
参考库存:16310
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