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FET，MOSFET - 阵列
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CSD86336Q3DT

  • Texas Instruments
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  • SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
逻辑电平栅极，5V 驱动
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
9.1 毫欧 @ 20A，5V，3.4 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250µA，1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V
功率 - 最大值
6W
工作温度
-55°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-VSON（3.3x3.3）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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