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FET，MOSFET - 阵列

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SSM6N16FUTE85LF

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
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参数信息

参数	参数值
包装	Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	3 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9.3pF @ 3V
功率 - 最大值	200mW
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装	US6

商品其它信息

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