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FET，MOSFET - 阵列
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FDMQ8203

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
GreenBridge™ PowerTrench®
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
100V，80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.4A，2.6A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
110 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
210pF @ 50V
功率 - 最大值
2.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
12-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
12-MLP（5x4.5）
商品其它信息
优势价格，FDMQ8203的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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