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FET,MOSFET - 阵列
DMC1030UFDBQ-7参考图片

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DMC1030UFDBQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.1A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
34 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
23.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1003pF @ 6V
功率 - 最大值
1.36W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
U-DFN2020-6(B 类)
商品其它信息
优势价格,DMC1030UFDBQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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