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FET，MOSFET - 阵列
SQJ244EP-T1_GE3参考图片

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SQJ244EP-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc), 60A (Tc)
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
11 毫欧 @ 4A, 10V, 4.5 毫欧 @ 10A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
20nC @ 10V, 45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
功率 - 最大值
27W（Tc）， 48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 双通道不对称
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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