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FET，MOSFET - 射频

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A2T18S162W31GSR3

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • IC TRANS RF LDMOS
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
LDMOS
频率
1.84GHz
增益
20.1dB
电压 - 测试
28V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
1A
功率 - 输出
32W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
NI-780GS-2L2LA
供应商器件封装
NI-780GS-2L2LA
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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