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FET，MOSFET - 射频

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MRF8S19260HR6

  • NXP USA Inc.
  • 最新
  • FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
1.99GHz
增益
18.2dB
电压 - 测试
30V
额定电流（安培）
-
噪声系数
-
电流 - 测试
1.6A
功率 - 输出
74W
电压 - 额定
65V
封装/外壳
SOT-1110A
供应商器件封装
NI1230-8
商品其它信息
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