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FET，MOSFET - 射频
CE3512K2-C1参考图片

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CE3512K2-C1

  • CEL
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  • RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
pHEMT FET
频率
12GHz
增益
13.7dB
电压 - 测试
2V
额定电流（安培）
15mA
噪声系数
0.5dB
电流 - 测试
10mA
功率 - 输出
125mW
电压 - 额定
4V
封装/外壳
4-Micro-X
供应商器件封装
4-Micro-X
商品其它信息
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